IRF7809A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7809A		177.24

Версия для печати

Технические характеристики IRF7809A

Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 15A, 4.5V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	75nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	7300pF @ 16V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7809A (N-канальные транзисторные модули)

HEXFETand#174; Chipset for DC-DC Converters

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRF7809A datasheet
130.48Kb
4стр.