IRF7233

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF7233 (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	708	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики IRF7233

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	74nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	6000pF @ 10V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF7233 (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRF7233 datasheet
161.9 Кб