IRF6603TR1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 27A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 72nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 6590pF @ 15V |
| Power - Max | 3.6W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric MT |
| Корпус | DIRECTFET™ MT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
