IRF640N


Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C)

Купить IRF640N по цене 60.90 руб.  (без НДС 20%)
IRF640N  N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF640N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 60.90 
IRF640N 14 72.00 
IRF640NLPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 115 3-4 недели
Цена по запросу
IRF640NPBF (INFINEON) 5 696 64.02 
IRF640NPBF 1 560 47.86 
IRF640NS 2 82.80 
IRF640NS (INFINEON) 1 47.29 

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET)  с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока 18А
Максимальное напряжение сток-исток 200V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,15 om (тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания 150W
Допустимое напряжение на затворе  +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA 
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N  TO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175oC
Аналог КП750А

Версия для печати

Технические характеристики IRF640N

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияHEXFET®
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C18A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1160pF @ 25V
Power - Max150W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640N (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.15ohm, Id=18A)

Также в этом файле: IRF640NL, IRF640NS

Производитель:
International Rectifier
http://www.irf.com

IRF640N datasheet
155.41Kb
11стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   SAMSUNG Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   VISHAY 364 124.71 
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   INTERSIL Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   SAMSUNG Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   Vishay/Siliconix Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRFP9240 Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А     Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TD350IDT     ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TD350IDT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TD350IDT     ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  TD350IDT     STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS 776 237.18 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц     5 306.00 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   STMICROELECTRONICS 27 179.40 
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   СИНГАПУР Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
TDA7294V ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   TEXAS INSTRUMENTS 5 125 16.00 
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   MOTOROLA 80 30.45 
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz     348 22.75 
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   TEXAS 1 092 29.64 
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   ON Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   TEXAS INSTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   МАЛАЙЗИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
TL494CN SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный     3 194 2.88 
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   КРЕМНИЙ 448 9.32 
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   АЛЕКСАНДРОВ 181 4.00 
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   БРЯНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   МИНСК 420 4.00 
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   ЭЛЕКС Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ503А Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход