IRF3515S
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 200W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2260pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 41A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF3515S (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
