HUF76609D3S


N-channel, logic level ultrafet power mosfet

Купить HUF76609D3S ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HUF76609D3S
Версия для печати

Технические характеристики HUF76609D3S

СерияUltraFET™
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs160 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs16nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds425pF @ 25V
Power - Max49W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
Product Change NotificationProduct Discontinuation 09/Sept/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF76609D3S (MOSFET)

N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

HUF76609D3S datasheet
220.1 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход