HUF75639S3S
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 56A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 56A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | UltraFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 130nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2000pF @ 25V |
| Power - Max | 200W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D²PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
HUF75639G3 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs Также в этом файле: HUF75639S3S, HUF75639S3ST
Производитель:
|
