HUF75309D3S

Версия для печати

Технические характеристики HUF75309D3S

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UltraFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 19A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	19A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	55W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF75309D3S (MOSFET)

N-Channel UltraFET Power MOSFETs

Производитель:
Fairchild Semiconductor

HUF75309D3S datasheet
218.9 Кб