|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SJ352 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SJ352 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)
|
HITACHI SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2SJ352 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)
|
|
|
491.16
|
|
|
|
2SJ352 |
|
Биполярный транзистор P-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SK2221)
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
2SK2221 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SK2221 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SK2221 |
|
Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)
|
|
|
478.76
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
|
|
222.00
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFB31N20D |
|
Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R
|
INFINEON TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
LF412CDR2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF412CDR2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
|
|
24.80
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE5532DR |
|
Малошумящий прецизионный операционный усилитель 2 канальный
|
TEXAS
|
|
|
|