FDN5630

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDN5630 (FAIRCHILD.)	1 516	3-4 недели Цена по запросу
FDN5630 (YOUTAI)	6 688	6.07

Версия для печати

Технические характеристики FDN5630

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	400pF @ 15V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN5630 (MOSFET)

60V N-Channel PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN5630 datasheet
91.5 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84C4V7LT1G		ONS
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTOR
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTOR	2 967
BZX84C4V7LT1G		ON SEMICONDUCTO
BZX84C4V7LT1G
BZX84C4V7LT1G		ONSEMICONDUCTOR
BZX84C5V6-V-GS18		VISHAY
BZX84C5V6-V-GS18		VISHAY
BZX84C5V6-V-GS18
CM453232-330KL		BOURNS
CM453232-330KL			168
CM453232-470KL	ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812	BOURNS	1 204	24.00
CM453232-470KL	ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7402	Hexfet power mosfets discrete n-channel