FDC6401N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDC6401N (FAIRCHILD.)	74	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDC6401N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	324pF @ 10V
Power - Max	700mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDC6401N (MOSFET)

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDC6401N datasheet
76.3 Кб