DTC123JET1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DTC123JET1G (ON SEMICONDUCTOR.)	33 772	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики DTC123JET1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	200mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-75, SOT-416
Корпус	SC-75

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

DTC114EET1 (Универсальные биполярные транзисторы)

Bias Resistor Transistor

Также в этом файле: DTC123JET1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

DTC123JET1G datasheet
106.36Kb
10стр.