DTC123JET1
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 2.2K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 200mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-75, SOT-416 |
| Корпус | SC-75 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
DTC114EET1 (Универсальные биполярные транзисторы) Bias Resistor Transistor Также в этом файле: DTC123JET1, DTC123JET1G
Производитель:
|
