DTA123JET1G


Купить DTA123JET1G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
DTA123JET1G
Версия для печати

Технические характеристики DTA123JET1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)47K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Power - Max200mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-75, SOT-416
КорпусSC-75
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход