Версия для печати
Технические характеристики CP2101

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Сфера применения	USB
Интерфейс подключения	USB
Напряжение питания	3 V ~ 3.6 V
Корпус (размер)	28-VQFN Exposed Pad, 28-HVQFN, 28-SQFN, 28-DHVQFN
Корпус	28-MLP-EP (5x5)
Тип монтажа	Поверхностный

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Специализированные микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	ST MICROELECTRONICS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В		6	33.48
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	TEXAS INSTRUMEN
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	HGSEMI	2 694	20.23
		CD4013BE		Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В	4-7 НЕДЕЛЬ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 200	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	179 107	2.70
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	4.82
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	1	3.91
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	13 967	5.29
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 732	2.34
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.94
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.30
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	NEC
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	RENESAS
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	CEL
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	NEC ELECTRONICS
		PS7214-1A-F3-A		Оптореле, 1 канал, норм.разомкн., Uком=100В, Iком=400мА, Rвкл=1 Ом, время вкл/выкл=2/1 ...	ЯПОНИЯ
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	НОВОСИБИРСК
		КС147А СТ		Стабилитрон КС147А кремниевый малой мощности 4.7В, 3...58 мА.	ХАБАРОВСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		12 636	40.92
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	3 440	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"