BYG10M-E3/TR


Купить BYG10M-E3/TR ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BYG10M-E3/TR
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
BYG10M-E3/TR (VISHAY.) 136 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BYG10M-E3/TR

Current - Reverse Leakage @ Vr1µA @ 1000V
Current - Average Rectified (Io)1.5A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1000V (1kV)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.15V @ 1.5A
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Diode TypeAvalanche
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)4µs
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)DO-214AC, SMA
КорпусDO-214AC (SMA)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход