Версия для печати
Технические характеристики BUZ31

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SIPMOS®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 9A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	14.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1120pF @ 25V
Power - Max	95W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	PG-TO220-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	840
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	96
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		BUX87P			NXP
		BUX87P					130.00
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С		96	50.96
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	Maxim Integrated Products
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAX/DALL
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MAXIM INTEGR
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	YOUTAI	30 748	54.77
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW	6	72.82
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	UMW-YOUTAI
		DS18B20		Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С	MSKSEMI
		P4NK60ZFP			ST MICROELECTRONICS
		P4NK60ZFP					212.00
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS	32	39.36
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.			42.28
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRONICS SEMI	26
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMicroelectronics
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ON Semiconductor
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	КИТАЙ
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ST MICROELECTRO
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	STMICROELECTR
		UC3843BN		ШИМ-контроллер с управлением по току 30В, 30мА, 500кГц.	ONS-FAIR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"