|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
22
|
32.71
|
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5822RL |
|
Диод Шоттки (U=40V, I=3.0A, Vf=0.525V@I=3.0A, Vf=0.95V@I=9.4A, -50 to +125C)
|
|
|
|
|
|
|
3362P-1-204 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-204 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-204 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
30.52
|
|
|
|
3362P-1-204 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3362P-1-204 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF830A |
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830A |
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт
|
|
|
50.64
|
|
|
|
IRF830A |
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF830A |
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830A |
|
Транзистор полевой N-Канальный 500VВ 5A, 74Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
|
8
|
56.32
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
MJE13005 |
|
Транзистор биполярный большой мощности (Uce=400V/700V, Ic=4A, P=75W, B=10-80, -65 to ...
|
RUME
|
7 920
|
13.30
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
72
|
70.40
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
|
2
|
115.20
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STP5NK60ZFP |
|
N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|