BFG410W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFG410W (NXP.)	20 041	3-4 недели Цена по запросу
BFG410W (PHILIPS.)	8 213	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BFG410W

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	4.5V
Frequency - Transition	22GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
Gain	21dB
Power - Max	54mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)	12mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-82A, SOT-343
Корпус	CMPAK-4

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG410W (Радиочастотные биполярные транзисторы)

NPN 22 GHz wideband transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG410W datasheet
108.29Kb
12стр.