BFG25A/X

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BFG25A/X (NXP.)	22 000	3-4 недели Цена по запросу
BFG25A/X (PHILIPS.)	6 856	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BFG25A/X

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5V
Frequency - Transition	5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)	1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
Power - Max	32mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 500µA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max)	6.5mA
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-253-4, TO-253AA
Корпус	SOT-143B

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BFG25A (Радиочастотные биполярные транзисторы)

NPN 5 GHz wideband transistor

Также в этом файле: BFG25A/X, BFG25A/X

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

BFG25A/X datasheet
122.68Kb
12стр.