BCX70G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BCX70G	36	7.20
BCX70G (PHILIPS.)	6 000	3-4 недели Цена по запросу
BCX70G (NXP.)	2 181	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BCX70G

Корпус	SOT-23
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	125MHz
Power - Max	350mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	550mV @ 1.25mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCX70

Small Signal Transistor (NPN)

Также в этом файле: BCX70G

Производитель:
Vishay
//www.vishay.com

BCX70G datasheet
0b

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		794	19.25
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3130А9	Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ