BC858BWT1


Купить BC858BWT1 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
BC858BWT1
Версия для печати

Технические характеристики BC858BWT1

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypePNP
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
Power - Max150mW
Frequency - Transition100MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)SC-70, SOT-323
КорпусSC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BC85xxWT1 (Универсальные биполярные транзисторы)

General Purpose Transistors PNP Silicon

Также в этом файле: BC858BWT1

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

BC858BWT1 datasheet
118.73Kb
8стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход