Версия для печати
Технические характеристики BC516

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100µA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	PNP - Darlington
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	200MHz
Power - Max	625mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30000 @ 20mA, 2V

BC516 PNP Silicon Darlington Transistor Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC516 datasheet 142.34Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ686Ж				2	20.16
		КТ686Ж			РИГА

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz			5.60
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	UTC	5 086	1.39
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
		2SC1815GR		Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	CJ
		ICE1HS01G			Infineon Technologies
		ICE1HS01G
		ICE1HS01G			INFINEON
		ICE1HS01G
		ICE1HS01G			1
		ICE1HS01G			4-7 НЕДЕЛЬ	528
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	VISHAY
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ST MICROELECTRONICS
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	ON SEMICONDUCTOR
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	STMicroelectronics
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MICROSEMI CORP
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)			66.84
		IRF640		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)	MINOS	2 296	25.52
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	88	221.14
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	711	76.31
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO
		MMBFJ201					100.00
		MMBFJ201			FAIR
		MMBFJ201			ON SEMICONDUCTOR
		MMBFJ201			Fairchild Semiconductor
		MMBFJ201			FAIRCHILD
		MMBFJ201			FSC
		MMBFJ201			FAIRCHILD
		MMBFJ201			ONS
		MMBFJ201			ONS-FAIR
		MMBFJ201			ONSEMI

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"