|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
|
2
|
234.00
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
ISC
|
|
|
|
|
|
BUZ80A |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 3.4A, 75W
|
1
|
|
|
|
|
|
DIN41612-364MRD(AC) |
|
|
|
|
145.60
|
|
|
|
DIN41612-364MRD(AC) |
|
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
HGT1S20N60C3S |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
MOTOROLA
|
51
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3 374
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
MMBD7000LT1 |
|
|
INFINEON
|
2 008
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
|
2 072
|
19.46
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
ULN2003AN |
|
7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|