AO4407
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 12A, 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2600pF @ 15V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
AO4407 P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Также в этом файле: AO4407L
Производитель:
|
