|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
|
|
1 516.00
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD8361ARMZ |
|
Детектор сигнала, fвх<2.7ГГц, динамический диапазон 60дБ, Uп=4.5..5.5В, -40..+85°C, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
|
|
2 529.68
|
|
|
|
AD9850BRS |
|
Полный синтезатор частоты с выходом до 125 МГц, 10 бит, 3,3…5 В
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 544
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
30 667
|
2.63
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
21 592
|
2.90
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
414
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
57 695
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
52 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.80
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
34 324
|
1.06
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
6.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
296 908
|
1.31
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
14 400
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BLT50.115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FTDI
|
93
|
560.00
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
|
1
|
563.20
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECH DEVICES INTER LTD
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLO
|
|
|
|
|
|
FT245RL |
|
Микросхема двунаправленный преобразователь USB-FIFO, реж.Bit Bang, EEPRM-1K, Ind
|
FUTURE TECHNOLOGY
|
|
|
|