|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N5192 |
|
Транзистор S-N 80В 4A 2МГц SOT32
|
ON SEMICONDUCTOR
|
36
|
24.00
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
|
17.72
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
13 586
|
11.39
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
2 384
|
9.02
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
|
374
|
22.00
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD237 |
|
Транзистор биполярный средней мощности NPN 80V 2A 25W >3MHz
|
HOTTECH
|
344
|
12.23
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
TSL
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
|
|
282.56
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
33
|
160.00
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
84.15
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
|
35
|
70.40
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRF530 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
4 600
|
63.96
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
DIOTEC
|
48 098
|
3.51
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
FAIRCHILD
|
968
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 324
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KEC AMERICA (USD)
|
15 222
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
|
58 400
|
1.74
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
HOTTECH
|
100 545
|
1.97
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YOUTAI
|
9 405
|
2.78
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YJ
|
125 492
|
2.43
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SUNTAN
|
336
|
1.66
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
JSCJ
|
261 554
|
2.35
|
|
|
|
КП504А |
|
|
|
792
|
28.00
|
|
|
|
КП504А |
|
|
МИНСК
|
1 154
|
32.00
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
452
|
22.95
|
|
|
|
КП504А |
|
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КП504А |
|
|
РОССИЯ
|
|
|
|