Версия для печати
Технические характеристики 2N4125

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 2mA, 1V
Power - Max	625mW
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3905			FAIR
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3905			FAIRCHILD
		2N3905			FAIRCHILD	108
		2N3905			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DC COMPONENTS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	DIOTEC	15 613	2.28
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	OTHER
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	PHILIPS
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE ELECTRONICS, INC	52
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	KEC AMERICA (USD)
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт		88	10.80
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	NTE
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	FAIRCHILD
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MOTOROLA	266	9.69
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	ИНТЕГРАЛ	80	11.73
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	MULTICOMP
		2N3906		Транзистор биполярный 40В, 200мА, 250МГц, 625мВт	1
		2N4126			FAIR
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			FAIRCHILD
		2N4126			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N4126			OTHER
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		56 360	7.20
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.02
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	960	7.87
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...		2 548	3.52
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	КРЕМНИЙ	800	10.71
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ	34	6.00
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ЭЛЕКС
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	МИНСК	3 300	8.00
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ502А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...	БРЯНСК	121	6.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		G0 124			GAINTA
		G0 124F			GAINTA
		G0 473			GAINTA
		ГТ402Г					43.60
		ГТ402Г			БРЯНСК
		ГТ402И		Биполярный транзистор			28.80
		ГТ402И		Биполярный транзистор	БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"