IRL3215
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 166 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 775pF @ 25V |
| Power - Max | 80W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3215 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.125-30 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-30 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||
| К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
| К514ИД1 | ДНЕПР |
|
|
|||||
| К514ИД1 | 2 | 440.00 | ||||||
| К514ИД1 | ОПТРОН |
|
|
|||||
 |
 |
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 262 | 18.00 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
|
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА |
|
40.00 | ||||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | КОМ 5 |
|
|
|||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | СНЕЖЕТЬ |
|
|
|||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | РОССИЯ |
|
|
|||||
| РП10-22 П-О ВИЛКА | 16 | 80.00 |
