MJE15031
Транзистор биполярный большой мощности PNP 150V 8A 50W B>20
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 4A, 2V |
| Power - Max | 50W |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MJE15028 8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120 В 150 VOLTS 50 WATTS Также в этом файле: MJE15031
Производитель:
|
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор | SAMSUNG |
|
|
|||
| 2SC1983 |
|
Биполярный транзистор |
|
53.36 | ||||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | SANKEN |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | SK |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор |
|
45.48 | ||||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| 2SC1984 |
|
Биполярный транзистор | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| MJE15029 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MJE15029 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJE15029 | 1 | 150.40 | ||||||
| MJE15029 | MOTOROLA |
|
|
|||||
| MJE15029 | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
