IRFU014

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFU014		62.08

Версия для печати

Технические характеристики IRFU014

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200 mOhm @ 4.6A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	300pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	TO-251

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFx01x

N-CHANNEL POWER MOSFET

Также в этом файле: IRFU014

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

IRFU014 datasheet
291.35Kb
5стр.