|
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 9.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 650pF @ 25V |
Power - Max | 57W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR5505 (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=-55V, Rds (on) =0.11ohm, Id=-18A) Также в этом файле: IRFR5505
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-10MQ060NTR | Диод Шоттки выпрямительный 2.1А, 60В, 40А | VISHAY | ||||||
2РМДТ27КПН19Ш5А1В | 1 180.00 | |||||||
2РМДТ27КПН19Ш5А1В | ЭЛЕКОН | |||||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | 606.04 | |||||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ИСЕТЬ | |||||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ЭЛЕКОН | 26 | 5 650.80 | |||||
2РМТ14Б4Ш1А1В | ЛТАВА | |||||||
2РМТ22КПН4Ш3А1В | Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | |||||||
2РМТ22КПН4Ш3А1В | Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | |||||||
2РМТ22КПН4Ш3А1В | Вилка кабельная прямая 2РМТ, для экранированного кабеля, 4 контакта с покрытием золото | ЭЛЕКОН | 52 | 8 180.40 | ||||
LM2674M-12 | NATIONAL SEMICONDUCTOR | |||||||
LM2674M-12 | 279.72 | |||||||
LM2674M-12 | NSC | |||||||
LM2674M-12 | TEXAS INSTRUMENTS |
|