IRFP048N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFP048N		212.20

Версия для печати

Технические характеристики IRFP048N

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16 mOhm @ 37A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	64A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1900pF @ 25V
Power - Max	140W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFP048N (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRFP048N datasheet
1.5 Мб