IRFD210
Транзистор полевой N-канальный 200В 0.6А
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 600mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFD210 Power MOSFET (Vdss=-100V, Rds (on) =1.2ohm, Id=-0.70A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 12В 1.2АЧ (97*43*51ММ) |
|
|
||||||
 |
HEF4060BT | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
HEF4060BT | NXP |
|
|
||||
|
|
HEF4060BT | 11 | 48.00 | |||||
|
|
HEF4060BT | PHILIPS SEMIC |
|
|
||||
|
|
HEF4060BT | NEXPERIA |
|
|
||||
|
|
HEF4060BT | NXP/NEXPERIA | 83 | 21.25 | ||||
|
|
HEF4060BT | NEX-NXP |
|
|
||||
 |
|
IRFB3006PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFB3006PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFB3006PBF |
|
Транзистор N-канальный MOSFET 60V 270A |
|
|
||
 |
S1014 3.15А (ВПБ6) | 59 696 | 1.60 | |||||
|
|
S1014 3.15А (ВПБ6) | 59 696 | 1.60 | |||||
| МУЛЬТИМЕТР M- 320 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| МУЛЬТИМЕТР M- 320 | MASTECH |
|
|
|||||
| МУЛЬТИМЕТР M- 320 | S-LINE |
|
|
