Версия для печати
Технические характеристики IRFB4229

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	46A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4560pF @ 25V
Power - Max	330W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop		272	387.64
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FSC	1	283.38
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	FAIRCHILD	624	390.78
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS-FAIR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONS
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SFDTU		Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop	ONSEMICONDUCTOR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FSC
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт			1 329.60
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	Fairchild Semiconductor
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	КИТАЙ
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	FAIRCHILD
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ONS-FAIR
		HGTG30N60A4		Высоковольтный IGBT транзистор 600В, 75А, 463Вт	ON SEMICONDUCTOR
		L7915ACV		ИМС	ST MICROELECTRONICS	10	31.49
		L7915ACV		ИМС			55.36
		L7915ACV		ИМС	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L7915ACV		ИМС	STMicroelectronics
		L7915ACV		ИМС	КИТАЙ
		RUE110					15.68
		RUE110			TE Connectivity
		RUE110					15.68
		UC3845BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	32	22.04
		UC3845BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz			48.00
		UC3845BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ONS
		UC3845BD1R2G		ШИМ контроллер (регулировка по напряжению) 1А, 8,2 - 30V, 500kHz	ON SEMICONDUCTOR	197

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"