IRF7205
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (Vds=30V, Id=4.6A@t=25C, Id=3.7A@t=70C, Rds=70 mOm, P=2.5W, -55 to 150C)
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 4.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 870pF @ 10V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7205 (P-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55-C5V1.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | DC COMPONENTS |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NEX-NXP |
|
|
|
|
|
|
BZV55-C5V1.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м |
|
|
||
|
|
|
BZV55-C5V1.115 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 5.1В, 2мА, 350О м | NEXPERIA | 1 | 10.01 | |
| RES 0603 1M 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| МГТФ-0,07 |
|
|
||||||
| МГТФ-0,07 | 1 |
|
|
|||||
| МГТФ-0,07 | 93199 |
|
|
|||||
| МГТФ-0,12 |
|
|
||||||
| МГТФ-0,12 | 3680 |
|
|
