| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
144.45
|
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
|
4
|
211.68
|
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF1405 |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 133A, 200W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 288
|
24.92
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
794
|
55.20
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 328
|
35.28
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
SE555DR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
|
|
110.40
|
|
|
|
|
SE555P |
|
Таймер (TTL-Compatible Output, Vtres=10.6V@Vcc=15V, T=–55°C to 125°C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|