|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD9280ARSZ |
|
АЦП 8 бит, 110мВт, 32МГц, 1 кан., 49дБ
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9280ARSZ |
|
АЦП 8 бит, 110мВт, 32МГц, 1 кан., 49дБ
|
|
|
608.00
|
|
|
|
AD9280ARSZ |
|
АЦП 8 бит, 110мВт, 32МГц, 1 кан., 49дБ
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9280ARSZ |
|
АЦП 8 бит, 110мВт, 32МГц, 1 кан., 49дБ
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9280ARSZ |
|
АЦП 8 бит, 110мВт, 32МГц, 1 кан., 49дБ
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
3 544
|
2.00
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 867
|
2.66
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
21 592
|
2.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
414
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
57 679
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
52 846
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
25 544
|
1.06
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
6.89
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
296 908
|
1.32
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
14 400
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
LTC4054ES5-4.2TRM |
|
|
LTC
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
|
|
268.00
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP6022-I/SN |
|
Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us
|
MICRO CHIP
|
40
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
DC COMPONENTS
|
138 534
|
3.59
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JIFU SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YJ
|
212 744
|
2.02
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
КИТАЙ
|
800
|
6.12
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
|
1 614
|
1.13
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
HOTTECH
|
127 609
|
1.67
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.55
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
JSCJ
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
1
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
MDD
|
|
|
|
|
|
SS14 |
|
Ограничительный диод шотки 40В, 1А, 500 нс
|
TRR
|
80 000
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|