Версия для печати
Технические характеристики FDS6675

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3000pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 09/Sept/2008

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		47МКФ 400 (16X32)105°C
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAI/QTC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	WTE	8	13.64
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GALAXY
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	DIODES INC.	352
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD	376
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL INSTRUMENT
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	280
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Diodes Inc
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	Vishay/Semiconductors
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	КИТАЙ
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FSC
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ON SEMI/FAIRCH
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)		196	4.69
		DF06S		Диодный мост (V=600В, If=1А, Vf=1.1V@I=1.0A, -55 to +150C)	HOTTECH	1	4.89
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SAMSUNG
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SAM
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C		1	378.00
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	США
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	SEC
		HIS0169C		SMPS упpавление SMR 40200 C	1
		SMR40200C		SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHIN
		SMR40200C		SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SK
		SMR40200C		SMPS с полевым высоковольтным транзистором	CHINA
		SMR40200C		SMPS с полевым высоковольтным транзистором	SANKEN
		SMR40200C		SMPS с полевым высоковольтным транзистором			444.00
		ТАНТАЛ 330МКФ 10В20%ТИПE

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"