FA57SA50LC
Транзистор полевой MOSFET
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 34A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 57A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 338nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 10000pF @ 25V |
| Power - Max | 625W |
| Тип монтажа | Шасси |
| Корпус (размер) | SOT-227-4, miniBLOC |
| Корпус | SOT-227B |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FA57SA50LC (N-канальные транзисторные модули) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МБГО-2 630 В 2 МКФ 10% | 4 | 112.00 |
