| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
7511MY8D |
|
Единичный светодиод 5mmOval/Yellow/588nm/390-770mcd/110°&50°
|
HEBEI
|
|
|
|
|
|
|
7511MY8D |
|
Единичный светодиод 5mmOval/Yellow/588nm/390-770mcd/110°&50°
|
|
|
21.68
|
|
 |
 |
774MR2T |
|
Единичный светодиод 5mmOval, Red, 624nm, 800mcd, 70°&40°
|
HEBEI
|
|
|
|
|
|
|
774MR2T |
|
Единичный светодиод 5mmOval, Red, 624nm, 800mcd, 70°&40°
|
|
|
15.64
|
|
|
|
|
774MR2T |
|
Единичный светодиод 5mmOval, Red, 624nm, 800mcd, 70°&40°
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
VISHAY
|
9
|
118.08
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF840APBF |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
14 172
|
3.85
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
9 120
|
9.10
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
|
669
|
9.62
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
13.26
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
БРЯНСК
|
5 234
|
12.40
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3107А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
Версия для печати
