UCC28C45D
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Частотный диапозон | 1MHz |
| Напряжение входное | 7.6 V ~ 20 V |
| Напряжение выходное | Up to 18V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B57045K472K | EPCOS |
|
|
|||||
| B57045K472K | EPC |
|
|
|||||
| B57045K472K |
|
|
||||||
| B57045K472K | EPCS |
|
|
|||||
| B57045K472K | TDK EPCOS | 2 240 | 127.92 | |||||
| B57045K472K | TDK-EPC |
|
|
|||||
 |
 |
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | FAIR |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс |
|
8.28 | ||
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | NXP |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | PHILIPS | 33 |
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KLS |
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс | KEENSIDE | 3 376 | 1.40 | |
| KBPC5010W 50А 1000А |
|
|
||||||
| SR-25-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 25 В | TREC |
|
|
|||
| SR-25-1000 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 25 В |
|
23.72 |
