| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
40
|
175.68
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
|
|
107.20
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
1
|
|
|
|
|
|
PIC12F629-I/P |
|
Микроконтроллер 8-ми разрядный, с Flash/EEPROM (1x14K Flash, 8 I/O, 64x8b RAM, 128x8b ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
КН102Г |
|
Динистор 10В, 2А
|
|
83
|
52.08
|
|
|
|
КН102Г |
|
Динистор 10В, 2А
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КН102Д |
|
|
|
20
|
113.40
|
|
|
|
|
КН102Д |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
240
|
22.08
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
807
|
32.79
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
628
|
33.48
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.80
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1103
|
|
|
|
|
|
МЛТ-2-10 КОМ-5% |
|
Резистор постоянный 10кОм, 5%
|
|
13 613
|
7.44
|
|