ВС-5-5-1 МОМ-10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603 100 ОМ 1%		ROYALOHM
1206 20 КОМ 5%		ROYAL OHM
1206 200 КОМ 5%		ROYALOHM
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIR
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	FAIRCHILD
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	NXP
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	OTHER
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	Fairchild Semiconductor
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CJ
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	CDIL
BC547	Маломощные P-N-P транзисторы с большим коэффициентом усиления	JSCJ	42 633	2.43
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм		309	112.20
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	КВАРЦ
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	RUS
ФД263-01	Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм	КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ	744	127.92