RD70HHF1
MOSFET UHF
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | INFINEON | 52 | 295.80 | |
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | 1 | 288.00 | ||
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | США |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
|
|
|
ICE2B265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W | 1 |
|
|
|
| SQP 10W 33 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 33 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| SQP 10W 510 5% |
|
|
||||||
| SQP 10W 510 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| К1033ЕУ1 | 17 | 98.28 | ||||||
 |
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | 372 | 70.40 | ||
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
|
|
|
П210Б |
|
Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ... | КВАЗАР |
|
|
