| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 246mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
|
|
126.28
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
MICRO CHIP
|
70
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-I/SM |
|
Энергонезависимая память EEPROM, 256K, I2C, 400kHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
 |
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
|
|
220.00
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
MICRO CHIP
|
20
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC512-I/P |
|
Энергонезависимая память EEPROM ser 2,5V, 64Kx8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADP3335ARM-3.3-RL7 |
|
|
|
|
533.76
|
|
|
|
|
DS1302ZN+T |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
DS1302ZN+T |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
13 295
|
24.00
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
FAIRCHILD
|
61
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
|
4 620
|
44.00
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS
|
744
|
68.54
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
YOUTAI
|
2 375
|
22.91
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
UMW
|
2 651
|
23.62
|
|
|
|
|
MOC3062M |
|
Оптрон (Симисторный выход со схемой перехода через ``0``, Ift=10mA, Vdrm=600V(peak), ...
|
1
|
|
|
|
Версия для печати
