Версия для печати
Технические характеристики MAX473CSA

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	1
Тип выхода	Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного напряжения	17 V/µs
Полоса пропускания	12MHz
Ток - входного смещения	80nA
Напряжение входного смещения	700µV
Ток выходной	2mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	2.7 V ~ 5.25 V, ±1.35 V ~ 2.625 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOIC
Output Type	Rail-to-Rail

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	17 349	3.90
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	10 048	2.36
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	46 725	2.59
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 545
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	24
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	73
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	202
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	1 880	3.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	41 544
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	10
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		1 125	8.80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	10 273	3.38
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	29 600	2.50
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH	41	3.67
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС	126	3.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
		2SK2837		Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
		ABM10-20.000MHZ-E20-T			Abracon Corporation
		ABM10-20.000MHZ-E20-T			ABRACON
		ABM10-20.000MHZ-E20-T
		ECS-110.5-20-5PX-TR			ECS Inc
		ECS-110.5-20-5PX-TR			ECS
		ECS-110.5-20-5PX-TR			ECS INC
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)		7	37.20
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	INFINEON
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	HOTTECH
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	VBSEMI	27 338	5.36
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	OLITECH	6	8.37
		IRLML2502TR		N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C)	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"