| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
FUJITSU
|
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
FUJI ELECTRIC
|
26
|
295.80
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
|
3
|
259.20
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
FUJI
|
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
FUJ
|
|
|
|
|
|
|
2SK3264 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (800V, 7A, 60W)
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
AT45DB161E-SHD-T |
|
|
ADESTO
|
|
|
|
|
|
|
AT45DB161E-SHD-T |
|
|
|
44
|
90.13
|
|
|
|
|
AT45DB161E-SHD-T |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT45DB161E-SHD-T |
|
|
АDESTO
|
|
|
|
|
|
|
AT45DB161E-SHD-T |
|
|
RENESAS
|
160
|
116.30
|
|
|
|
|
DC-021 2.4MM |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
SILICON STORAGE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
SILICON STORAGE TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
SST
|
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
|
Энергонезависимая память; Тип: FLASH; Интерфейс: SPI; Объём: 16 Мбит; Организация: ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
192
|
127.92
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
|
328
|
115.21
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
ST1S14PHR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
Версия для печати
