C106M1G


Тиристор 4A 600В TO126

Купить C106M1G по цене 48.44 руб.  (без НДС 20%)
C106M1G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
C106M1G цена радиодетали 48.44 

Версия для печати

Технические характеристики C106M1G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
SCR TypeSensitive Gate
Voltage - Off State600V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)800mV
Voltage - On State (Vtm) (Max)2.2V
Current - On State (It (AV)) (Max)2.55A
Current - On State (It (RMS)) (Max)4A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)200µA
Current - Hold (Ih) (Max)3mA
Current - Off State (Max)10µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)20A @ 60Hz
Рабочая температура-40°C ~ 110°C
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-225-3
КорпусTO225AA
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

C106 (Традиционные тиристоры (SCR))

Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

Также в этом файле: C106M1G

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

C106M1G datasheet
62.72Kb
6стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)   SANYO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)     Заказ радиодеталей 281.20 
    2SB817C PNP 160V, 12A, 100W, 15MHz (Comp. 2SD1047)   SAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BTB04-600SL Симистор на 4А, 600В   ST MICROELECTRONICS 26 127.50 
BTB04-600SL Симистор на 4А, 600В     16 82.80 
BTB04-600SL Симистор на 4А, 600В   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
BTB04-600SL Симистор на 4А, 600В   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В     1 694.80 
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   США Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   СОЕДИНЕННЫЕ ШТА Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
HGTG30N60A4D Модуль IGBT 600V + диод 600В   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  KID65003AP     KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  KID65003AP       Заказ радиодеталей 90.40 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый     4 340.00 
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый   ST MICROELECTRO Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход