47UF/50V 6.37.7 85°

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3.3 UF 63V 105C 511
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс
MF-0.25-82K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-82K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		210	2.84
MF-0.5-2.0 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.5-2.0 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический		48	1.20
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		4 040	47.72
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
STP6NK60ZFP	MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO